參數(shù)資料
型號： IXKN45N80C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： CoolMOS Power MOSFET
中文描述： 44 A, 800 V, 0.074 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： IXKN45N80C
2001 IXYS All rights reserved
2 - 2
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
Inches
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
miniBLOC, SOT-227 B
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
ISOL
I
ISOL
≤
1 mA; 50/60 Hz
2500
V~
T
VJ
T
stg
-40...+150
-40...+125
°
C
°
C
M
d
mounting torque
terminal connection torque (M4)
1.5
1.5
Nm
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R
thCH
with heatsink compound
0.1
K/W
Weight
30
g
Advanced Technical Information
IXKN 45N80C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXKN75N60 CoolMOS Power MOSFET
IXKN75N60C CoolMOS Power MOSFET
IXKR40N60 CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
IXKR40N60C CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
IXKX50N60BU1 IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXKN75N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET
IXKN75N60C 功能描述:MOSFET 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKP10N60C5 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKP10N60C5M 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXKP13N60C5 功能描述:MOSFET 13 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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