參數(shù)資料
型號： IXGX50N60BD1
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 75A條一（c）|至247VAR
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 120K
代理商： IXGX50N60BD1
2 - 5
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
25
35
S
C
ies
C
oes
C
res
4000
340
100
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
110
30
35
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
50
50
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
200
85
150
1.5
150
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
50
60
ns
ns
mJ
ns
ns
3
200
175
E
off
2.5
mJ
R
thJC
R
thCK
0.42 K/W
TO-264 package
0.15
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H,
V
= 0.8 V
, R
= R
= 2.7
Remarks: Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
= 0.8 V
, R
= R
= 2.7
Remarks: Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or increased R
G
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 ms, duty cycle d 22 %
2.5
V
I
RM
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/ms
V
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ms; V
R
= 30 V
2
2.5
175
50
A
ns
ns
t
rr
35
R
thJC
0.65 K/W
IXGK 50N60BD1
IXGX 50N60BD1
PLUS247
TM
(IXGX)
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA Outline
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGK50N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.3V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGM10N50 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGM10N60 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGA15N120C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-263AA
IXGP10N100 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGX50N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGX50N90B2D1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT with Fast Diode
IXGX55N120A3D1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGX55N120A3H1 功能描述:IGBT 模塊 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGX60N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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