參數(shù)資料
型號： IXGT50N60B2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 585K
代理商： IXGT50N60B2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 50N60B2
IXGT 50N60B2
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= 40 A; V
CE
= 10 V,
40
55
S
C
ies
C
oes
C
res
3500
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
240
pF
50
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
140
nC
I
C
= 40 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
23
nC
44
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
18
ns
25
ns
190
300
ns
65
ns
0.55
0.85
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
18
ns
25
ns
0.45
mJ
290
ns
140
ns
1.55
mJ
R
thJC
R
thCK
0.31 K/W
(TO-247)
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= 40 A, V
= 15 V
V
CE
= 480 V, R
G
= R
off
= 5
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= 40 A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 480 V, R
G
= R
off
= 5
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
e
P
TO-268 Outline
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
相關PDF資料
PDF描述
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IXGT60N60B2 Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching
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IXGH60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極場效應管)
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參數(shù)描述
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IXGT50N90B2 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT50N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 900V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT60N60 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT60N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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