- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362820 > IXGT30N60B TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-268 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXGT30N60B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-268 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第60A條（c）的|至268 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | IXGT30N60B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IXGT30N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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| IXGT30N60BU1 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT with Diode |
| IXGT30N60C2 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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