參數(shù)資料
型號(hào)： IXGT20N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： IXGT20N120
2002 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Typ.
Min.
Max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0 V
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
1200
2.5
V
V
5.0
I
CES
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
250
μ
A
mA
1
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
2.0
2.5
V
IGBT
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
1200
1200
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
±
20
±
30
V
V
I
C25
I
C90
I
CM
T
C
T
C
T
C
= 25
°
C
= 90
°
C
= 25
°
C, 1 ms
40
20
80
A
A
A
SSOA
(RBSOA)
V
GE
= 15 V, T
VJ
= 125
°
C, R
G
= 47
Clamped inductive load
I
CM
= 40
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
C
= 25
°
C
150
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
Maximum tab temperature for soldering
260
°
C
M
d
Mounting torque (TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-247
TO-268
6
5
g
g
DS98966 (11/02)
Features
International standard packages
JEDEC TO-247 and TO-268
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Capacitor discharge
Advantages
Easy to mount with one screw
Reduces assembly time and cost
High power density
TO-268 (IXGT)
TO-247 (IXGH)
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
t
fi(typ)
= 1200 V
= 40 A
= 2.5 V
= 380 ns
IXGH 20N120
IXGT 20N120
GD
S
G
E
C (TAB)
Preliminary Data Sheet
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH20N30 HiPerFAST IGBT
IXGH20N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH20N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH20N60B HiPerFAST IGBT
IXGH22N50BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGT20N120B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT20N140C3H1 功能描述:IGBT 模塊 40khz C-IGBT w/Diode Power Device RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGT20N60B 功能描述:IGBT 40A 600V TO-268 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGT20N60BD1 功能描述:IGBT 40A 600V TO-268 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*