參數(shù)資料
型號： IXGR40N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 262K
代理商： IXGR40N60C
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXGR 40N60C
IXGR 40N60CD1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
30
40
S
C
ies
3300
310
370
65
pF
pF
pF
pF
6/
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
6/7
Q
g
Q
ge
Q
gc
116
23
55
nC
nC
nC
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
25
30
ns
ns
ns
ns
100
75
150
150
E
off
0.85
1.70
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
25
35
0.4
1.2
150
105
1.2
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
mJ
40N60C
E
off
R
thJC
R
thCK
0.6 K/W
0.15
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 4.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 40N60CD1
Remarks: Switching times may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
#,-.-,/
!
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"
#
$
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(
)(
(
I
T
@
@
$
$
/
I
T
@
$
& . .
& . .
$
$A B.%
Note:
$
t
p
:!:!C
D
2. I
T
= 40A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR40N60CD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR50N60B HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR50N60BD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR60N60C2 Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR60N60C2D1 Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR40N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 27 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR40N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 HI SPEED IGBT 600V 27 AMP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR40N60C2G1 功能描述:IGBT 晶體管 56Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR40N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR45N120 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200 V 3.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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