參數(shù)資料
型號(hào)： IXGR40N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 257K
代理商： IXGR40N60B
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXGR 40N60B
IXGR 40N60BD1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
30
42
S
C
ies
3300
310
370
65
pF
pF
pF
pF
924
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
924:
Q
g
Q
ge
Q
gc
116
23
55
nC
nC
nC
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
25
30
ns
ns
ns
ns
mJ
180
180
2.7
300
270
4.0
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
25
30
0.4
1.2
300
270
4.0
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
mJ
924
924:
E
off
R
thJC
R
thCK
0.6 K/W
0.15
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 4.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 4.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
#,-.-,/
!
!
"
"
#
$
%&'(()
!(*')
(((
+&0 *0" 123/43!0"
%&'&'
.
A 78 ",!/
(
)(
(
I
T
A
'
2
'
I
T
A)!1!1
'
)!1!1
'
B1(
Note:
'@
t
p
!<"<"C!
D
2. I
T
= 40A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR40N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR40N60CD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR50N60B HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR50N60BD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR60N60C2 Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR40N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR40N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR40N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR40N60C 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR40N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 27 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*