參數(shù)資料
型號(hào)： IXGQ100N60Y4
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 100號(hào)A一（c）
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
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代理商： IXGQ100N60Y4
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PDF描述
IXGQ50N100Y4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 50A I(C)
IXGQ50N50Y4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 50A I(C)
IXGQ50N60Y4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C)
IXGQ50N90Y4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 50A I(C)
IXGQ75N100Y4 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 75A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGQ120N30TCD1 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGQ150N100Y3 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
IXGQ150N30TC 功能描述:IGBT 晶體管 150 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGQ150N30TCD1 功能描述:IGBT 晶體管 150 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGQ150N60Y3 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C)
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