參數(shù)資料
型號： IXGK50N60C2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 636K
代理商： IXGK50N60C2D1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGK50N60C2D1
IXGX50N60C2D1
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
0
20
40
60
80
I
C
- Amperes
100 120 140 160 180 200
g
f
T
J
= 25oC
125oC
Fig. 8. Dependence of Turn-Off
Energy on R
G
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
2
4
6
8
R
G
- Ohms
10
12
14
16
18
E
o
-
I
C
= 20A
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 40A
I
C
= 80A
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy
on I
c
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
20
30
40
50
60
70
80
I
C
- Amperes
E
o
R
G
= 2
R
G
= 10
- - - -
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 10. Dependence of Turn-Off
Energy on Temperature
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
E
o
I
C
= 80A
R
G
= 2
R
G
= 10
- - - -
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 40A
I
C
= 20A
Fig. 11. Dependence of Turn-Off
Switching Time on R
G
50
100
150
200
250
300
350
400
450
2
4
6
8
10
12
14
16
18
R
G
- Ohms
S
I
C
= 20A
t
d(off)
t
fi
-
- - - - -
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 40A
I
C
= 80A
Fig. 12. Dependence of Turn-Off
Switching Time
on I
c
40
60
80
100
120
140
160
180
200
20
30
40
50
60
70
80
I
C
- Amperes
S
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
R
G
= 2
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
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PDF描述
IXGX50N60C2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK60N60B2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
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IXGK60N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
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IXGK60N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT w/ Diode 600V 60A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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