參數(shù)資料
型號： IXGK50N60BD1
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 75A條一（c）|至264AA
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： IXGK50N60BD1
3 - 5
2000 IXYS All rights reserved
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
200
V
GE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
10000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
9V
5V
V
CE
= 10V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
13V
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 100A
T
J
=
125
°
C
f = 1Mhz
7V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
T
J
= 125
°
C
C
iss
C
oss
7V
5V
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
9V
V
GE
= 15V
13V
11V
7V
11V
C
rss
5V
IXGK 50N60BD1
IXGX 50N60BD1
Figure 1. Saturation Voltage Characteristics
Figure 2. Extended Output Characteristics
Figure 3. Saturation Voltage Characteristics
Figure 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Figure 5. Admittance Curves
Figure 6. Capacitance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGX50N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR
IXGK50N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.3V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGM10N50 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGM10N60 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGA15N120C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-263AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK50N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.5V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK50N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK55N120A3H1 功能描述:IGBT 模塊 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGK60N60 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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