參數(shù)資料
型號： IXGK50N50BU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： IXGK50N50BU1
6 - 6
2000 IXYS All rights reserved
IXGK50N50BU1
IXGK50N60BU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGK50N60BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK50N60AU1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK50N60C2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX50N60C2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK60N60B2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK50N60A2D1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode
IXGK50N60A2U1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK50N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK50N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK50N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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