參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH9090
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 48A條一（c）|采用TO - 247AD
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代理商： IXGH9090
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGK50N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
IXGX50N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR
IXGK50N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.3V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGM10N50 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGM10N60 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH90N60B3 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 90A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGJ40N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGJ50N60B 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGK100N170 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK120N120A3 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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