參數(shù)資料
型號: IXGH30N30S
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 250V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 250V五(巴西)國際消費電子展|第60A條(c)的|至247SMD
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代理商: IXGH30N30S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH30N60AU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD
IXGH30N60BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH30N60BU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH30N60U1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD
IXGH32N60BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
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參數(shù)描述
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IXGH30N50A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
IXGH30N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60A 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V 2.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH30N60AU1 制造商:IXYS 功能描述:Bulk