參數(shù)資料
型號： IXGH30N30
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 60 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： IXGH30N30
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Fig. 1. Output Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 3. High Temperature Output Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
IXGH 30N30
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 6. Capacitance Curves
)
相關PDF資料
PDF描述
IXGH30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60B2 HiPerFAST IGBT
IXGT30N60B2 HiPerFAST IGBT
IXGH30N60BU1 HiPerFAST IGBT with Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH30N30S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 250V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
IXGH30N50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
IXGH30N50A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
IXGH30N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH30N60A 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V 2.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*