參數(shù)資料
型號： IXGH25N90
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 900V五（巴西）國際消費電子展| 50A條一（c）|至247
文件頁數(shù)： 4/5頁
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代理商： IXGH25N90
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGM20N100 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE
IXGM20N50 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE
IXGM20N50A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE
IXGM20N80 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE
IXGH20N80 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH25N90A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
IXGH28N120B 功能描述:IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH28N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH28N140B3H1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH28N30 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
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