型號(hào): | IXGH25N80 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 800V的五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 50A條一(c)|至247 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/5頁(yè) |
文件大小: | 393K |
代理商: | IXGH25N80 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGH25N90 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
IXGM20N100 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
IXGM20N50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
IXGM20N50A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
IXGM20N80 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXGH25N80A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
IXGH25N90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
IXGH25N90A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
IXGH28N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH28N120BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |