- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361011 > IXGH24N60C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXGH24N60C |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 48A條一（c）|采用TO - 247AD |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | IXGH24N60C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGT24N60C | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-268 |
| IXGH25N80 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| IXGH25N90 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| IXGM20N100 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
| IXGM20N50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGH24N60C4 | 功能描述:IGBT 模塊 High-Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXGH24N60C4D1 | 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXGH24N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH25N100 | 功能描述:IGBT 50A 1000V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGH25N100A | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1000V 50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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