型號: | IXGH20N80A |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 800V的五(巴西)國際消費電子展| 40A條一(c)|至247 |
文件頁數: | 6/7頁 |
文件大?。?/td> | 681K |
代理商: | IXGH20N80A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGM20N80A | SPACER |
IXGM20N90A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |
IXGM25N80A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
IXGM25N90A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
IXGM30N50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IXGH20N90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
IXGH20N90A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
IXGH22N140IH | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXGH22N170 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
IXGH22N50B | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |