型號: | IXGH20N60BS |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費電子展| 40A條一(c)|至247SMD |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 119K |
代理商: | IXGH20N60BS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGH20N60BU1S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR |
IXGH20N60U1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD |
IXGH24N60C | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD |
IXGT24N60C | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-268 |
IXGH25N80 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXGH20N60BU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH20N60BU1S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR |
IXGH20N60U1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD |
IXGH20N80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
IXGH20N80A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |