- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361010 > IXGH12N60C TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXGH12N60C |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 24A條一（c）|采用TO - 247AD |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | IXGH12N60C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH12N90C | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-247AD |
| IXGH20N90A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247 |
| IXGH25N80A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| IXGH25N90A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| IXGH30N50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGH12N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH12N90C | 功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 900V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH12N90C_03 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
| IXGH14N170A | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
| IXGH15N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。