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IXGH12N60C	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 24A I(C) \| TO-247AD
IXGH12N90C	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 24A I(C) \| TO-247AD
IXGH20N90A	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 40A I(C) \| TO-247
IXGH25N80A	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247
IXGH25N90A	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247

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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
IXGH12N120A2D1	功能描述:MOSFET 24 Amps 1200V 2.7 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH12N120A3	功能描述:IGBT 1200V 22A TO-247 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路系列:GenX3™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH12N60B	功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH12N60BD1	功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH12N60C	功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

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IXGH12N120A2D1

功能描述:MOSFET 24 Amps 1200V 2.7 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXGH12N120A3

功能描述:IGBT 1200V 22A TO-247 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路系列:GenX3™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件

IXGH12N60B

功能描述:IGBT 晶體管 24 Amps 600V 2.1 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

IXGH12N60BD1

IXGH12N60C

功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

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型號(hào)：	IXGH12N100U1S
英文描述：	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 24A I(C) \| TO-247SMD
中文描述：	晶體管\| IGBT的\|正陳\| 1KV交五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展\| 24A條一（c）\|至247SMD
文件頁(yè)數(shù)：	2/2頁(yè)
文件大?。?/td>	100K
代理商：	IXGH12N100U1S

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