- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383190 > IXFZ67N10 (IXYS Corporation) HIPERFET Power MOSFTETs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXFZ67N10 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HIPERFET Power MOSFTETs |
| 中文描述： | HIPERFET電力MOSFTETs |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 295K |
| 代理商： | IXFZ67N10 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH17N60 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH18N50 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH9N100 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH11N100 | 130 OHM 5% 200PPM TKF 0805 |
| IXFH11N60 | HIPERFET Power MOSFTETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXG611P1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXG611S1 | 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IXG611S1T/R | 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGA10N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
| IXGA10N60A | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。