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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXFZ21N60 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HIPERFET Power MOSFTETs |
| 中文描述： | HIPERFET電力MOSFTETs |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 295K |
| 代理商： | IXFZ21N60 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IXFZ520N075T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 HiperFETs Gate TrenchT2 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFZ67N10 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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