參數(shù)資料
型號(hào)： IXFT75N10Q
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
中文描述： 75 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： PLASTIC, D3PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 154K
代理商： IXFT75N10Q
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PDF描述
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IXFH7N90Q HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
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參數(shù)描述
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IXFT80N08 功能描述:MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT80N085 功能描述:MOSFET MOSFET, INTR DIODE 85V, 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT80N10 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT80N10Q 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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