| 型號： | IXFT6N100Q |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 歐姆 @ 3A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 2.5mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-268 |
| 包裝： | 管件 |