參數(shù)資料
型號(hào): IXFT50N60P3
廠商: IXYS
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 50A TO268
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 30
系列: Polar3™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 145 毫歐 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6300pF @ 25V
功率 - 最大: 1040W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-268
包裝: 管件