參數(shù)資料
型號： IXFT26N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 26 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 158K
代理商： IXFT26N50
1999 IXYS All rights reserved
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
BV
DSS
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
5
10
15
20
25
30
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
5
10 15
20 25 30
35 40 45 50
R
D
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
6V
5V
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
I
D
= 12A
21N50
24N50
26N50
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
7V
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH26N50 1-Form-A solid state relay, bridge rectifier, Darlington transistor and optocoupler and zener diods- half wave
IXFM26N50 Dual Pole Normally Open: 2-Form-A
IXFM21N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM21N60 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFM24N50 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
IXFT26N50Q 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT26N55Q 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT26N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFT26N60P 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFT26N60Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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