| 型號： | IXFT18N100Q3 |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 |
| 標準包裝： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 18A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 660 毫歐 @ 9A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 4mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 4890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA |
| 供應商設備封裝： | TO-268 |
| 包裝： | 管件 |