| 型號(hào)： | IXFT12N100Q |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 12A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 歐姆 @ 6A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-268 |
| 包裝： | 管件 |