參數(shù)資料
型號: IXFP4N100P
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: Polar™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.3 歐姆 @ 2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1456pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件