參數(shù)資料
型號： IXFN48N50Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 48 A, 500 V, 100 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： IXFN48N50Q
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
30
45
S
C
iss
C
oss
C
rss
6400
930
220
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
33
22
75
10
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 4.7
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
190
40
86
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.26
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
48
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
192
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
250
ns
C
A
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
1.4
10
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXFN 44N50Q
IXFN 48N50Q
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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PDF描述
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IXFN50N25 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
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