參數(shù)資料
型號： IXFN44N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
中文描述： 44 A, 600 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 128K
代理商： IXFN44N60
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
20
40
60
80
100
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.00
0.01
0.10
1.00
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
100
1000
10000
Gate Charge - nC
0
50
100 150 200 250 300 350 400
V
G
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 300V
I
D
= 30A
I
G
= 10mA
f = 1MHz
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
IXFN 44N60
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure 10. Transient Thermal Resistance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN44N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN44N80P PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN48N55 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓550V,導(dǎo)通電阻110mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN58N50 High Current Power MOSFET
IXFN60N60 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導(dǎo)通電阻75mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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IXFN44N80P 功能描述:MOSFET 36 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN44N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N50 功能描述:MOSFET 500V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN48N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
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