參數(shù)資料
型號： IXFN44N50U2
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 44 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 151K
代理商： IXFN44N50U2
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXFN44N50U2 IXFN48N50U2
IXFN44N50U3 IXFN48N50U3
Fig.10 Transient Thermal Impedance
V
SD
- Volt
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Time - Seconds
0.001
0.01
0.1
1
T
0.01
0.1
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
C
rss
C
oss
Gate Charge - nCoulombs
0
50
100 150 200 250 300 350 400
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C
iss
V
DS
= 250V
I
D
= 24A
I
G
= 10mA
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
Fig.9
Source Current vs. Source
to Drain Voltage
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PDF描述
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IXFN44N80 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.145 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN44N80P 功能描述:MOSFET 36 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN44N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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