參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN44N50Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
中文描述： 44 A, 500 V, 120 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 80K
代理商： IXFN44N50Q
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
30
45
S
C
iss
C
oss
C
rss
6400
930
220
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
33
22
75
10
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 4.7
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
190
40
86
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.26
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
48
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
192
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
250
ns
C
A
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
1.4
10
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXFN 44N50Q
IXFN 48N50Q
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN48N50Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN44N50U2 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN44N50U3 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN48N50U2 HiPerFET Power MOSFET （Buck & Boost Configurations for PFC & Motor Control Circuits）(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.10Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET（步升&步降配置，用于PFC和電機(jī)控制電路）)
IXFN48N50U3 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN44N50Q_03 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN44N50U2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
IXFN44N50U3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
IXFN44N60 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN44N80 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.145 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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