型號: | IXFN34N100 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
中文描述: | 34 A, 1000 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | MINIBLOC-4 |
文件頁數: | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 101K |
代理商: | IXFN34N100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFN34N80 | HiPerFETTM Power MOSFETs Single DieMOSFET |
IXFN36N100 | HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
IXFN36N60 | HiPerFET Power MOSFET |
IXFN38N100Q2 | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr |
IXFN39N90 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IXFN34N80 | 功能描述:MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFN35N50 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
IXFN360N10T | 功能描述:MOSFET 360 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFN360N15T2 | 功能描述:功率驅動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
IXFN36N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |