參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN26N90
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
中文描述： 26 A, 900 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 141K
代理商： IXFN26N90
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFN 25N90
IXFN 26N90
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
18
28
S
C
iss
0
C
oss
C
rss
8.7
800 1000
300
10.8
nF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
375
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
60
35
130
24
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
240
56
107
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.21
K/W
K/W
0.05
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
26N90
25N90
26
25
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
26N90
25N90
104
100
A
V
SD
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
250
ns
C
A
1.4
10
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN27N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN280N07 Standoff; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
IXFN32N60 HiPerFET Power MOSFET
IXFN340N07 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN340N06 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN-26N90 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN27N80 功能描述:MOSFET 800V 27A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN27N80Q 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN280N07 功能描述:MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN280N07_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
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