參數(shù)資料
型號(hào)： IXFN100N10S3
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes
中文描述： 100 A, 100 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： IXFN100N10S3
fuvp=jlpcbqp=~=fd_q=~êé=éêé=ó=é=ê=êé==íüé=á=rKpK=é~íéíW
QIUPRIRVO
QIURMIMTO
QIUUNINMS
QIVPNIUQQ
RIMNTIRMU
RIMPQITVS
RIMQVIVSN
RIMSPIPMT
RINUTINNT
RIOPTIQUN
RIQUSITNR
RIPUNIMOR
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Schottky Diode
Characteristic Values
Eq
g
=Z=OR
°
`I=ìé=íüéêáé=ééááéF
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
R
s
o=
Z=s
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q
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Z=NOR
°
`X=s
o=
Z=s
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^
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^
V
F
f
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s
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s
dp
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s
s
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°
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R
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R
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Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Eq
g
=Z=OR
°
`X=ìé=íüéêáé=ééááéF
min.
typ.
max.
V
DSS
s
dp
Z=M=sX=f
a
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s
dp
Z=M=sX=f
a
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μ
^
pN
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NMM
NMM
s
s
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
s
ap
Z=s
dp
X=f
a
=Z=Q=^
s
dp
Z=
±
OM=s
a`
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O
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±
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^
s
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app
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dp
=Z=M=s
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pOLpP
pN
pOLpP
O
^
μΑ
^
^
OR
OM
N
=q
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`
R
DS(on)
g
fs
C
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C
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Z=NM=sX=f
a
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Z=NM=sX=f
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t
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NMM
PM
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dp
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ap
=Z=MKR==s
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X=f
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=Z=MKR==f
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NUM
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V
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=Z=M=sX=kíé=N=EpOI=pPF
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Q
RM
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RM
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=Z=OR=^XJáLí=Z=NMM=^L
μ
X=s
o
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OMM
μ
`
^
MKU
S
R
thJC
R
thCK
MKPR
=hLt
MKMR
hLt
IXFN 100N10S1
IXFN 100N10S2
IXFN 100N10S3
jQ=êé=EQF=ìééáé
aáK
jááéíéê
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jáK
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j~K
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_
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a
QKMV
QKMV
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MKNSN
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MKNSV
b
c
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QKOV
NRKNN
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MKNSV
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d
e
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PUKOP
NKNUS
NKQVS
NKNVP
NKRMR
g
h
NNKSU
UKVO
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MKPRN
MKQUN
MKPTU
i
j
MKTS
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MKUQ
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MKQVS
MKMPP
MKRMS
k
l
ORKNR
NKVU
ORKQO
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MKMTU
NKMMN
MKMUQ
m
n
QKVR
OSKRQ
RKVT
OSKVM
MKNVR
NKMQR
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o
p
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QKTO
QKQO
QKUR
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MKNUS
MKNTQ
MKNVN
q
r
OQKRV
JMKMR
ORKMT
MKN
MKVSU
JMKMMO
MKVUT
MKMMQ
miniBLOC, SOT-227 B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN100N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN106N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN100N10 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFK90N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻23mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFN100N25 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻27mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN100N20 功能描述:MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN100N25 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN100N50P 功能描述:MOSFET 500V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN100N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN102N30P 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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