參數(shù)資料
型號(hào)： IXFM26N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual Pole Normally Open: 2-Form-A
中文描述： 26 A, 500 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 158K
代理商： IXFM26N50
1999 IXYS All rights reserved
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
BV
DSS
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
5
10
15
20
25
30
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
5
10 15
20 25 30
35 40 45 50
R
D
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
6V
5V
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
I
D
= 12A
21N50
24N50
26N50
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
7V
IXFH21N50
IXFM21N50
IXFH24N50
IXFM24N50
IXFT24N50
IXFH26N50
IXFM26N50
IXFT26N50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFM21N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM21N60 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFM24N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFMIXFT24N50 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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IXFM40N30 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.088 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFM42N20 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFM50N20 功能描述:MOSFET 200V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFM58N20 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
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