參數(shù)資料
型號(hào)： IXFM11N80
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 11 A, 800 V, 0.95 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204
封裝： TO-204, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： IXFM11N80
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
R
D
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
1.25
1.30
1.35
1.40
V
GS
= 10V
T
J
= 25
°
C
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
T
J
= 25
°
C
V
DS
= 10V
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
7V
V
GS
= 10V
8V
V
GS
= 15V
I
D
= 6.5A
11N80
13N80
BV
DSS
T
J
= 25
°
C
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
IXFH 11N80
IXFM 11N80
IXFH 13N80
IXFM 13N80
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFM13N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM11N100 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFM11N60 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFM11N90 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFM13N50 HIPERFET Power MOSFTETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFM11N90 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFM12N100 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFM12N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFM12N90 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFM13N50 功能描述:MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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