參數(shù)資料
型號(hào): IXFK360N10T
廠商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 25
系列: GigaMOS™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 360A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.9 毫歐 @ 100A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5V @ 3mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 525nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 33000pF @ 25V
功率 - 最大: 1250W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-264-3,TO-264AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-264
包裝: 管件