參數(shù)資料
型號(hào)： IXFK35N50
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 35 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： IXFK35N50
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
18
28
S
C
iss
C
oss
C
rss
5200 5700
640
240
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
750
310
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
35
42
45
50
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
(External),
110
23
140
35
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
227
29
110
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.3
K/W
K/W
0.15
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
33
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
132
A
V
SD
I
= 100 A, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
250
ns
C
A
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
0.75
7
IXFK 33N50
IXFK 35N50
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA Outline
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK34N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX34N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK44N50F FILM/M CAPACITANCE=4.7 VOLT=100
IXFX44N50F HiPerRF Power MOSFETs F-Class MegaHertz Switching Single MOSFET Die
IXFK44N60 HiPerFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
IXFK35N50S 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-264VAR
IXFK360N10T 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK360N15T2 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXFK36N60 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK36N60P 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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