參數(shù)資料
型號(hào)： IXFK28N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 28 A, 600 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 70K
代理商： IXFK28N60
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
IXFH26N60
IXFT26N60
IXFK28N60
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
11
18
S
C
iss
C
oss
C
rss
5000
600
250
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
43
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
(External),
110
30
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
250
33
115
300
45
150
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
26N60
28N60
0.35
0.30
K/W
K/W
K/W
K/W
R
thCK
TO-247
TO-264
0.25
0.15
I
F
= I
S
-di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ. max.
I
S
V
GS
= 0 V
26N60
28N60
26N60
28N60
26
28
A
A
A
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
104
112
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
250
ns
C
A
1
10
TO-247 AD (IXFH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
TO-264 AA (IXFK) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
L2
1.00
1.15
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.039
.752
.106
.055
.045
.150
.161
TO-268AA (D
3
PAK)
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK33N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK35N50 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK34N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX34N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK44N50F FILM/M CAPACITANCE=4.7 VOLT=100
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFK30N100Q2 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK30N100Q2_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
IXFK30N110P 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK30N50Q 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK320N17T2 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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