型號(hào): | IXFK180N10 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓100V,導(dǎo)通電阻8mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET) |
中文描述: | 180 A, 100 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
封裝: | PLASTIC, TO-264, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 109K |
代理商: | IXFK180N10 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFK21N100F | HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
IXFX21N100F | HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
IXFK21N100Q | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻0.50Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET) |
IXFK24N100 | HiPerRF Power MOSFETs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFK180N10_09 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs |
IXFK180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK180N25T | 功能描述:MOSFET 180A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK185N10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA |
IXFK200N10P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |