參數(shù)資料
型號： IXFK100N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 100 A, 100 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： IXFK100N10
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFK 100N10
IXFN 150N10
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
Fig.9
Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.10 Transient Thermal Impedance
Time - Seconds
0.001
0.01
0.1
1
T
0.01
0.1
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
C
oss
C
iss
Gate Charge - nCoulombs
0
50
100
150
200
250
300
350
400
V
G
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 50V
I
D
= 75A
I
G
= 1mA
C
rss
f = 1MHz
V
DS
= 25V
V
SD
- Volt
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
S
0
25
50
75
100
125
150
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
0.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK100N25 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK110N06 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK110N07 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK105N07 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK150N15 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFK100N-10 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
IXFK100N25 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK102N30P 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK105N07 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFK110N06 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*