參數(shù)資料
型號： IXFH9N100
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HIPERFET Power MOSFTETs
中文描述： HIPERFET電力MOSFTETs
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 295K
代理商： IXFH9N100
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH9N65 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH9N80 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH9N80Q 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH9N80S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247SMD
IXFHN100 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
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