參數(shù)資料
型號： IXFH76N07-12
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 76 A, 70 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： IXFH76N07-12
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 40 A, pulse test
30
40
S
C
iss
C
oss
C
rss
4400
2000
1200
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
40
70
130
55
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 50 V, I
D
= 30 A
R
G
= 1
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
240
30
120
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 40 A
R
thJC
R
thCK
0.42
K/W
K/W
0.25
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
76
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
304
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.5
V
t
rr
I
F
= 25 A, -di/dt = 100 A/ s,
V
R
= 25 V
T
J
=
T
J
= 125 C
25 C
150
ns
ns
250
IXFH
76
N06-11
IXFH
76
N06-12
IXFH
76
N07-11
IXFH
76
N07-12
TO-247 AD (IXFH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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