參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH32N50
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 32 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 110K
代理商： IXFH32N50
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
18
28
S
C
iss
C
oss
C
rss
5200
640
240
5700
750
310
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
35
42
45
50
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
(External)
110
26
140
35
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
227
29
110
300
40
145
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
0.35
K/W
K/W
(TO-247 Case Style)
0.25
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ. max.
I
S
V
GS
= 0 V
30N50
32N50
30N50
32N50
30
32
A
A
A
A
V
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
120
128
1.5
V
SD
t
rr
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
T
J
= 25 C
250
400
ns
ns
C
Q
RM
0.85
I
RM
8
A
I
= I
-di/dt = 100 A/ s,
V
R
= 100 V
IXFH 30N50
IXFT 30N50
IXFH 32N50
IXFT 32N50
TO-247 AD (IXFH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
L2
1.00
1.15
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.039
.752
.106
.055
.045
.150
.161
TO-268AA (D
3
PAK)
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT40N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH40N30Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓300V,導(dǎo)通電阻80mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFT4N100 HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT52N30Q N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances
IXFK52N30Q CAP 10000UF 100V ELECT SCREWTERM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH32N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXFH32N50Q 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH32N50S 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-247VAR
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IXFH34N50P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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