參數(shù)資料
型號: IXFE23N100
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 21A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 430 毫歐 @ 11.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 25V
功率 - 最大: 500W
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: SOT-227-4,miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-227B
包裝: 散裝