參數(shù)資料
型號: IXFA4N100P
廠商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
標準包裝: 50
系列: Polar™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.3 歐姆 @ 2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1456pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: TO-263(D2Pak)
包裝: 管件