參數(shù)資料
型號: IXFA10N60P
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
產(chǎn)品目錄繪圖: TO-263 Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: Polar™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 740 毫歐 @ 5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1610pF @ 25V
功率 - 最大: 200W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263(D2Pak)
包裝: 管件